技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | IRFD9120PBF |
批号: | 18+ |
封装: | HVMDIP- |
数量: | 899 |
QQ: | |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | DIP-4 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 1 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 600 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 18 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | W |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Tube |
配置: | Single |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | IRFD |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 5 mm |
商标: | Vishay / Siliconix |
正向跨导 - 最小值: | S |
下降时间: | 25 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 29 ns |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 21 ns |
典型接通延迟时间: | ns |
单位重量: | g |
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