技术参数
| 品牌： | VISHAY |
| 型号： | SI2333DDS-T1-GE3 |
| 批号： | 18+ |
| 封装： | SOT-23- |
| 数量： | 126855 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 12 V |
| Id-连续漏极电流： | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 23 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 35 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | TrenchFET |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 配置： | Single |
| 高度： | mm |
| 长度： | mm |
| 系列： | SI2 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | mm |
| 商标： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨导 - 最小值： | 18 S |
| 下降时间： | 20 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 24 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 45 ns |
| 典型接通延迟时间： | 26 ns |
| 零件号别名： | SI2333DDS-T1-BE3 |
| 单位重量： | 8 mg |
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