技术参数
品牌: | ROHM |
型号: | RE1L002SNTL |
批号: | 18+ |
封装: | SOT523 |
数量: | 39791 |
QQ: | |
制造商: | ROHM Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-416FL-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 250 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 150 mW |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
晶体管类型: | 1 N-Channel MOSFET |
下降时间: | 28 ns |
上升时间: | 5 ns |
典型关闭延迟时间: | 18 ns |
典型接通延迟时间: | ns |
零件号别名: | RE1L002SN |
单位重量: | 00 mg |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。