产品简介
技术参数品牌：ST型号：STW3N150批号：19+封装：TO-247-3数量：36006QQ：制造商：STMicroelectronics产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-247-3晶体管极性：N-Channel通道数量：1ChannelVds-漏源极击穿电压：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STW3N150 |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | TO-247-3 |
| 数量： | 36006 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | kV |
| Id-连续漏极电流： | A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 9 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 140 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | mm |
| 长度： | mm |
| 系列： | STW3N150 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel Power MOSFET |
| 宽度： | mm |
| 正向跨导 - 最小值： | S |
| 下降时间： | 61 ns |
| 上升时间： | 47 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 45 ns |
| 典型接通延迟时间： | 24 ns |
| 单位重量： | 38 g |
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