产品简介
技术参数品牌：ROHM型号：SCT2H12NZGC11批号：18+封装：TO-3PFM数量：35800QQ：制造商：ROHMSemiconductor产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-3PFM-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：1700VId-连续漏极电流：3
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ROHM |
| 型号： | SCT2H12NZGC11 |
| 批号： | 18+ |
| 封装： | TO-3PFM |
| 数量： | 35800 |
| QQ： | |
| 制造商： | ROHM Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-3PFM-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1700 V |
| Id-连续漏极电流： | A |
| Rds On-漏源导通电阻： | Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 6 V, 22 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | V |
| Qg-栅极电荷： | 14 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 35 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | SCT2x |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | s |
| 下降时间： | 74 ns |
| 上升时间： | 21 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 35 ns |
| 典型接通延迟时间： | 16 ns |
| 零件号别名： | SCT2H12NZ |
| 单位重量： | g |
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