产品简介
技术参数品牌:DIODES型号:DMN2016LHAB-7批号:19+封装:U-DFN2030-6数量:38350QQ:描述:MOSFET2N-CH20V7
详情介绍
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技术参数
品牌: | DIODES |
型号: | DMN2016LHAB-7 |
批号: | 19+ |
封装: | U-DFN2030-6 |
数量: | 38350 |
QQ: | |
描述: | MOSFET 2N-CH 20V 6UDFN |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 14 周 |
详细描述: | MOSFET-阵列-2-N-沟道(双)共漏-20V---表面贴装型-U-DFN2030-6 |
数据列表: | DMN2016LHAB; |
标准包装: | 3,000 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 有源 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
系列: | - |
其它名称: | DMN2016LHAB-7DITR |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 毫欧 @ 4A, |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 16nC @ |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 1550pF @ 10V |
功率 - 值: | |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-UDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | U-DFN2030-6 |
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