产品简介
技术参数品牌：AOS型号：AON6512批号：19+封装：DFN5x6-8LEP1数量：36936QQ：对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）类别：分立半导体产品产品族：晶体管-FET
详情介绍
技术参数
| 品牌： | AOS |
| 型号： | AON6512 |
| 批号： | 19+ |
| 封装： | DFN5x6-8L EP1 |
| 数量： | 36936 |
| QQ： | |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | 54A（Ta），150A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | ，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： | 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）： | 64nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）： | 3430pF @ 15V |
| 功率耗散（值）： | （Ta），83W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-PowerSMD，扁平引线 |
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