产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI7137DP-T1-GE3批号:18+封装:SO-8数量:36355QQ:制造商:VishaySiliconix系列:TrenchFET®FET类型:P通道25°C时电流-连续漏极(Id):60A(Tc)驱动电压(RdsOn
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI7137DP-T1-GE3 |
批号: | 18+ |
封装: | SO-8 |
数量: | 36355 |
QQ: | |
制造商: | Vishay Siliconix |
系列: | TrenchFET® |
FET 类型: | P 通道 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | ,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | @ 250µA |
Vgs(值): | ±12V |
功率耗散(值): | (Ta),104W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 585 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 20000 pF @ 10 V |
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