技术参数
品牌: | ST/意法 |
型号: | STL22N60M6 |
批号: | 21+ |
封装: | DFN5x6 |
数量: | 90000 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerFLAT-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 10 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 250 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 25 V, + 25 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
Qg-栅极电荷: | 20 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 57 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | MDmesh |
封装: | Reel |
配置: | Single |
系列: | Mdmesh M6 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | STMicroelectronics |
下降时间: | ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 32 ns |
典型接通延迟时间: | ns |
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