产品简介
技术参数品牌:TI型号:CSD75205W1015批号:21+封装:DSBGA-6数量:90000QQ:对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:分立半导体产品产品族:晶体管-FET
详情介绍
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技术参数
品牌: | TI |
型号: | CSD75205W1015 |
批号: | 21+ |
封装: | DSBGA-6 |
数量: | 90000 |
QQ: | |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
系列: | NexFET™ |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): | 120 毫欧 @ 1A, |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): | 850mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): | @ |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值): | 265pF @ 10V |
功率 - 值: | 750mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-UFBGA,DSBGA |
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