深圳市至为芯科技IP3103是一颗高精度内置MOSFET 单节锂电池充放电保护IC
简介:
IP3103 提供一种用于单节锂离子/聚合物可充电电池的初级保护的解决方案。IP3103 集成了聚合物可充电电池安全运行所需的所有检测和保护。
IP3103 集成了所有保护检测和控制功能,正常工作仅需要 1uA 左右的工作电流。保护功能包括放电过流、充电过流、过充、过放电池的检测和保护。其工作在-40℃~+85℃的温度范围内,大大拓宽了芯片的使用条件。采用小而薄的 DFN8 x 封装,这种封装便于小型电池包装设计。
特性:
电压监测:
过充电保护电压 V OV :~(Step:5mV)
过充电保护电压 V OV 精度:±15mV
过充电解除电压 V OVR :~ note1
过充电解除电压 V OVR 精度:±50mV
过放电保护电压 V UV :2V~3V(Step:10mV)
过放电保护电压 V UV 精度:±50mV
过放电解除电压 V UVR :2V~ note2
过放电解除电压 V UVR 精度:±75mV
测 电流监测 VI(部 用外部 Sense 电阻)/VM( 用
MOS 管导通电阻) 可选 :
放电过流 1 保护电压 V DOC1 :3mV~100mV(Step:)
放电过流 1 保护电压 V DOC1 精度:±
放电过流 2 保护电压 V DOC2 :10mV~200mV(Step:1mV)
放电过流 2 保护电压 V DOC2 精度:±3mV
放电短路保护电压 V SC :20mV~400mV(Step:2mV)
放电短路保护电压 V SC 精度:±5mV
充电过流保护电压 V COC :-200mV~-3mV(Step:)
充电过流保护电压 V COC 精度:±
内置各种检测延时:
过充电检测延时 t OV :256mS ~ 2S
过放电检测延时 t UV :32mS ~ 256mS
放电过流 1 检测延时 t DOC1 :8mS ~ 4S
放电过流 2 检测延时 t DOC2 :8mS ~ 64mS
放电短路检测延时 t SC :280uS ~ 560uS
充电过流检测延时 t COC :8mS ~ 64mS
μA 工作电流(pump disable )@25°C
工作电流(pump enable )@25 °C
休眠模式可选,休眠模式下 100nA 休眠电流
耗尽电池 0V 禁止充电
充放电可外部控制 CTL :
内部上拉、下拉电阻
内部电阻值:1Mohm~8Mohm 可选
控制逻辑可选:H 逻辑和 L 逻辑有效
输入浪涌钳位,可承受高达 28V 的浪涌电压
放电过流解除条件: 断开负载或连接充电器
正常工作状态下,PUMP N-MOSFET 驱动 可选
工作温度:-40 °C ~85 °C
I VI 采样和 M VM 电流采样可选
封装: DFN- - 8 *
应用:
物联网设备
可穿戴设备
电池包
移动设备
IP3103 提供一种用于单节锂离子/聚合物可充电电池的初级保护的解决方案。IP3103 集成了聚合物可充电电池安全运行所需的所有检测和保护。
IP3103 集成了所有保护检测和控制功能,正常工作仅需要 1uA 左右的工作电流。保护功能包括放电过流、充电过流、过充、过放电池的检测和保护。其工作在-40℃~+85℃的温度范围内,大大拓宽了芯片的使用条件。采用小而薄的 DFN8 x 封装,这种封装便于小型电池包装设计。
特性:
电压监测:
过充电保护电压 V OV :~(Step:5mV)
过充电保护电压 V OV 精度:±15mV
过充电解除电压 V OVR :~ note1
过充电解除电压 V OVR 精度:±50mV
过放电保护电压 V UV :2V~3V(Step:10mV)
过放电保护电压 V UV 精度:±50mV
过放电解除电压 V UVR :2V~ note2
过放电解除电压 V UVR 精度:±75mV
测 电流监测 VI(部 用外部 Sense 电阻)/VM( 用
MOS 管导通电阻) 可选 :
放电过流 1 保护电压 V DOC1 :3mV~100mV(Step:)
放电过流 1 保护电压 V DOC1 精度:±
放电过流 2 保护电压 V DOC2 :10mV~200mV(Step:1mV)
放电过流 2 保护电压 V DOC2 精度:±3mV
放电短路保护电压 V SC :20mV~400mV(Step:2mV)
放电短路保护电压 V SC 精度:±5mV
充电过流保护电压 V COC :-200mV~-3mV(Step:)
充电过流保护电压 V COC 精度:±
内置各种检测延时:
过充电检测延时 t OV :256mS ~ 2S
过放电检测延时 t UV :32mS ~ 256mS
放电过流 1 检测延时 t DOC1 :8mS ~ 4S
放电过流 2 检测延时 t DOC2 :8mS ~ 64mS
放电短路检测延时 t SC :280uS ~ 560uS
充电过流检测延时 t COC :8mS ~ 64mS
μA 工作电流(pump disable )@25°C
工作电流(pump enable )@25 °C
休眠模式可选,休眠模式下 100nA 休眠电流
耗尽电池 0V 禁止充电
充放电可外部控制 CTL :
内部上拉、下拉电阻
内部电阻值:1Mohm~8Mohm 可选
控制逻辑可选:H 逻辑和 L 逻辑有效
输入浪涌钳位,可承受高达 28V 的浪涌电压
放电过流解除条件: 断开负载或连接充电器
正常工作状态下,PUMP N-MOSFET 驱动 可选
工作温度:-40 °C ~85 °C
I VI 采样和 M VM 电流采样可选
封装: DFN- - 8 *
应用:
物联网设备
可穿戴设备
电池包
移动设备
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