产品简介
技术参数品牌：INFINEON型号：IPW60R099C6批号：封装：数量：1000QQ：制造商：Infineon产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：ThroughHole封装/箱体：TO-247-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：600VId-连续漏极电流：37
详情介绍
技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPW60R099C6 |
| 批号： |
| 封装： |
| 数量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 37.9 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 90 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 119 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 278 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | CoolMOS |
| 封装： | Tube |
| 高度： | 21.1 mm |
| 长度： | 16.13 mm |
| 系列： | CoolMOS C6 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 5.21 mm |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 下降时间： | 6 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 12 ns |
| 工厂包装数量： | 240 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 75 ns |
| 典型接通延迟时间： | 15 ns |
| 零件号别名： | IPW60R099C6FKSA1 SP000641908 IPW6R99C6XK IPW60R099C6FKSA1 |
| 单位重量： | 38 g |
- 上一篇： 电容回收MICROCHIP 8位MCU单片机 PIC16
- 下一篇： 电子产品回收ESPRESSIF 集成电路、处理
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。