SOI硅片
SOI硅片,直径4~8英寸 ,可提供Bonding工艺SOI和Smart cut工艺SOI
SOI硅片
1. 直径4~8英寸
2.可提供Bonding工艺SOI和Smart cut工艺SOI
3.器件层厚度 薄可到150nm,埋氧层厚度可到 薄1um
4. 可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制,以及多层SOI的定制
深圳市蓝星宇电子科技有限公司
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SOI硅片,直径4~8英寸 ,可提供Bonding工艺SOI和Smart cut工艺SOI
1. 直径4~8英寸
2.可提供Bonding工艺SOI和Smart cut工艺SOI
3.器件层厚度 薄可到150nm,埋氧层厚度可到 薄1um
4. 可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制,以及多层SOI的定制
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