技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IPD60R400CE |
封装: | TO-252 |
批次: | 21+ |
数量: | 2000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
宽度: | 6.22 mm |
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技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPD60R400CE封装:TO-252批次:21+数量:2000制造商:Infineon产品种类:MOSFET安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3Vds-漏源极击穿电压:600V高度:2
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IPD60R400CE |
封装: | TO-252 |
批次: | 21+ |
数量: | 2000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
宽度: | 6.22 mm |
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