产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:NTS4101PT1G封装:SOT323批次:21+数量:2000制造商:onsemi产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-323-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NTS4101PT1G |
封装: | SOT323 |
批次: | 21+ |
数量: | 2000 |
制造商: | onsemi |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-323-3 |
晶体管极性: | P-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 1.37 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 160 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 8 V, + 8 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.5 V |
Qg-栅极电荷: | 6.4 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 329 mW |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降时间: | 18 ns |
正向跨导 - 最小值: | 5.2 S |
高度: | 0.85 mm |
长度: | 2.1 mm |
上升时间: | 14.9 ns |
系列: | NTS4101P |
晶体管类型: | MOSFET |
典型关闭延迟时间: | 6.2 ns |
典型接通延迟时间: | 1.24 mm |
宽度: | 6 mg |
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