产品简介
技术参数品牌:ON/安森美型号:NTMFS5C628NLT1G封装:SO-8FL批次:21+数量:2000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:DFN-5通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:150ARdsOn-漏源导通电阻:2
详情介绍
技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NTMFS5C628NLT1G |
封装: | SO-8FL |
批次: | 21+ |
数量: | 2000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | DFN-5 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 150 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.4 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
Qg-栅极电荷: | 52 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 110 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 110 S |
下降时间: | 70 ns |
上升时间: | 150 ns |
典型关闭延迟时间: | 28 ns |
典型接通延迟时间: | 15 ns |
单位重量: | 107.200 mg |
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