技术参数
品牌: | onsemi |
型号: | FGA50T65SHD |
批次: | 20+ |
数量: | 8985 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | IGBT 晶体管 |
RoHS: | 是 |
封装 / 箱体: | TO-3PN |
安装风格: | Through Hole |
集电极—发射极电压 VCEO: | 650 V |
集电极—射极饱和电压: | 2.14 V |
栅极/发射极电压: | 30 V |
在25 C的连续集电极电流: | 100 A |
Pd-功率耗散: | 319 W |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
系列: | FGA50T65SHD |
集电极连续电流 Ic: | 100 A |
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA |
单位重量: | 6.401 g |
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