技术参数
品牌: | VISHAY/威世 |
型号: | IRFD110PBF |
封装: | 原厂封装 |
批号: | 23+ |
数量: | 13949 |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | HVMDIP-4 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 1 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 540 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 8.3 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 1.3 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 3.37 mm |
长度: | 6.29 mm |
系列: | IRFD |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 5 mm |
正向跨导 - 最小值: | 0.8 S |
下降时间: | 9.4 ns |
上升时间: | 16 ns |
典型关闭延迟时间: | 15 ns |
典型接通延迟时间: | 6.9 ns |
单位重量: | 300 mg |
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