技术参数
品牌: | Microchip |
型号: | DN1509N8-G |
批号: | 2224+ |
数量: | 300 |
制造商: | Microchip |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-89-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 90 V |
Id-连续漏极电流: | 360 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 6 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.6 W |
配置: | Single |
通道模式: | Depletion |
封装: | Cut Tape |
高度: | 1.6 mm |
长度: | 4.6 mm |
产品: | MOSFET Small Signal |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 2.6 mm |
商标: | Microchip Technology |
下降时间: | 16 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 16 ns |
工厂包装数量: | 2000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 15 ns |
典型接通延迟时间: | 12 ns |
单位重量: | 52.800 mg |
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