技术参数
品牌: | Infineon Technologies |
型号: | IRLR2908TRPBF |
批号: | 1908+ |
数量: | 70 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | HEXFET® |
Product Status: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 80 V |
Vgs(值): | ±16V |
功率耗散(值): | 120W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
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