产品简介
技术参数品牌:TexasInstruments型号:CSD17501Q5A批号:2201+数量:30制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:VSONP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:100ARdsOn-漏源导通电阻:2
详情介绍
技术参数
品牌: | Texas Instruments |
型号: | CSD17501Q5A |
批号: | 2201+ |
数量: | 30 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VSONP-8 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.9 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 13.2 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 3.2 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
高度: | 1 mm |
长度: | 6 mm |
系列: | CSD17501Q5A |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 4.9 mm |
正向跨导 - 最小值: | 110 S |
下降时间: | 7.9 ns |
上升时间: | 17 ns |
典型关闭延迟时间: | 18 ns |
典型接通延迟时间: | 10.4 ns |
单位重量: | 87.800 mg |
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