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infineon英飞凌IGBT模块BSM75GAR120DN2

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:BSM75GAR120DN2
  • 品牌:
  • 产品类别:其他
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  • 样本:
  • 更新时间:2023-09-06 22:50:08
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产品简介

SM系列是原西门子IG模块的命名系统

详情介绍


SM系列是原西门子IG模块的命名系统。西门子IG模块归入EUPEC后,EUPEC标准系列IG模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IG模块,即EUPEC IHM&IHV系列IG模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon(英飞凌)100%子公司后,所有IG模块均按EUPEC IG命名系统来命名。

infineon英飞凌IG模块BSM75GAR120DN2,可控硅晶闸管IG


需指出的是:IG参数表中标出的IC是集电极zui大直流电流,但这个直流电流是有条件的,首先zui大结温不能超过150℃,其次还受安全工作区(SOA)的限制,不同的工作电压、脉冲宽度,允许通过的zui大电流不同。同时,各大厂商也给出了2倍于额定值的脉冲电流,这个脉冲电流通常是指脉冲宽度为1ms的单脉冲能通过的zui大通态电流值,即使可重复也需足够长的时间。如果脉冲宽度限制在10μs以内,英飞凌NPT-IG短路电流承受能力可高达10倍的额定电流值。这种短路也不允许经常发生,器件寿命周期内总次数不能大于1000次,两次短路时间间隔需大于1s。但对于PT型IG,这种短路总次数不能大于100次,这是由于NPT-IG过载能力、可靠性比PT型高的原因。



驱动不足 驱动不足也即驱动电压偏低,容易使IG管进入放大状态,IG管的功耗大幅增加,IG管将迅速烧毁。
igbt模块的注意事项?
由于IG模块为MOSFET结构,IG的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IG失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点:
1. 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。

英飞凌可控硅,infineon英飞凌IG模块BSM75GAR120DN2

常见问题:
问题1。贵公司的优势是什么?

A1。我公司拥有专业的团队和专业的生产线。

问题2。我为什么要选择你们的产品?

A2。我们的产品质优价廉。

问题3。你们公司还能提供其他什么好的服务吗?

A3。是的,我们可以提供良好的售后服务和快速交货。
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