产品简介
技术参数品牌:VISHAY型号:SI2301CDS-T1-GE3批号:20+封装:SOT23数量:9000QQ:制造商:Vishay产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-23-3通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:3
详情介绍
技术参数
品牌: | VISHAY |
型号: | SI2301CDS-T1-GE3 |
批号: | 20+ |
封装: | SOT23 |
数量: | 9000 |
QQ: | |
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
Id-连续漏极电流: | 3.1 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 112 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 4.5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 400 mV |
Qg-栅极电荷: | 10 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.6 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
系列: | SI2 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 9.5 S |
下降时间: | 10 ns |
上升时间: | 35 ns |
典型关闭延迟时间: | 30 ns |
典型接通延迟时间: | 11 ns |
零件号别名: | SI2301CDS-GE3 |
单位重量: | 8 mg |
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