产品简介
技术参数品牌:ONSEMICONDUCTOR型号:2N7002WT1G数量:5000制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SC-70-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60VId-连续漏极电流:310mARdsOn-漏源导通电阻:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ON SEMICONDUCTOR |
型号: | 2N7002WT1G |
数量: | 5000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SC-70-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 310 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 1.6 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 280 mW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 0.85 mm |
长度: | 2.1 mm |
系列: | 2N7002W |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 1.24 mm |
下降时间: | 9 ns |
上升时间: | 9 ns |
典型关闭延迟时间: | 55.8 ns |
典型接通延迟时间: | 12.2 ns |
单位重量: | 6.200 mg |
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