产品简介
技术参数品牌：DIODES/美台型号：DMP3056L-7批号：21+封装：SOT-23数量：30500QQ：制造商：DiodesIncorporated产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SOT-23-3通道数量：1Channel晶体管极性：P-ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：4
详情介绍
技术参数
| 品牌： | DIODES/美台 |
| 型号： | DMP3056L-7 |
| 批号： | 21+ |
| 封装： | SOT-23 |
| 数量： | 30500 |
| QQ： | |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 4.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 50 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 5.8 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.38 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | DMP3056 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 下降时间： | 18.2 ns |
| 上升时间： | 4.7 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 35.2 ns |
| 典型接通延迟时间： | 4.9 ns |
| 单位重量： | 8 mg |
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