产品简介
技术参数品牌:ST/意法型号:STD10N60M2批号:14+15+16封装:数量:2500QQ:制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-252-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600VId-连续漏极电流:7
详情介绍
技术参数
品牌: | ST/意法 |
型号: | STD10N60M2 |
批号: | 14+15+16 |
封装: |
数量: | 2500 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 600 V |
Id-连续漏极电流: | 7.5 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 560 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 25 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
Qg-栅极电荷: | 13.5 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 85 W |
配置: | Single |
系列: | STD10N60M2 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
下降时间: | 13.2 ns |
上升时间: | 8 ns |
典型关闭延迟时间: | 32.5 ns |
典型接通延迟时间: | 8.8 ns |
单位重量: | 4 g |
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