产品简介
技术参数品牌：ST/意法型号：STP1N105K3批号：14+15+16封装：数量：4000QQ：制造商：STMicroelectronics系列：SuperMESH3™FET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）25°C时电流-连续漏极(Id)：1.4A（Tc）驱动电压（RdsOn
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST/意法 |
| 型号： | STP1N105K3 |
| 批号： | 14+15+16 |
| 封装： |
| 数量： | 4000 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | SuperMESH3™ |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 1.4A（Tc） |
| 驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）： | 11 欧姆 @ 600mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（值）： | 4.5V @ 50µA |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 功率耗散（值）： | 60W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 供应商器件封装： | TO-220 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss）： | 1050V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）： | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）： | 180pF @ 100V |
| 基本产品编号： | STP1N |
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