产品简介
技术参数品牌:ROHM/罗姆型号:RSU002P03T106批次:20+数量:2000制造商:ROHMSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-323-3通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:200mARdsOn-漏源导通电阻:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ROHM/罗姆 |
型号: | RSU002P03T106 |
批次: | 20+ |
数量: | 2000 |
制造商: | ROHM Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-323-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 200 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 1.6 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 200 mW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 0.8 mm |
长度: | 2 mm |
系列: | RSU002P03 |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 1.25 mm |
正向跨导 - 最小值: | 0.2 S |
下降时间: | 5 ns |
上升时间: | 5 ns |
典型关闭延迟时间: | 30 ns |
典型接通延迟时间: | 8 ns |
零件号别名: | RSU002P03 |
单位重量: | 5 mg |
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