技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IPG20N06S4L11ATMA1 |
封装: | PG-TDSO |
批次: | 21+ |
数量: | 2000 |
描述: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 12 周 |
详细描述: | MOSFET-阵列-2-N-通道(双)-60V-20A-65W-表面贴装型-PG-TDSON-8-4 |
数据列表: | IPG20N06S4L-11; |
标准包装: | 5,000 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 有源 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
系列: | 汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™ |
其它名称: | SP000705550 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | 20A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): | 11.2 毫欧 @ 17A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): | 2.2V @ 28µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): | 53nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值): | 4020pF @ 25V |
功率 - 值: | 65W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装: | PG-TDSON-8-4 |
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