技术参数
品牌: | DIODES/美台 |
型号: | DMG1012UW-7 |
批号: | |
封装: | SOT-323(SC-70) |
数量: | 5000 |
QQ: | |
描述: | MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
原厂标准交货期: | 14 周 |
详细描述: | 表面贴装型-N-通道-20V-1A(Ta)-290mW(Ta)-SOT-323 |
数据列表: | DMG1012UW; |
标准包装: | 3,000 |
包装: | 标准卷带 |
零件状态: | 有源 |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
系列: | - |
其它名称: | DMG1012UW-7DITR |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1A(Ta) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 450 毫欧 @ 600mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | .74nC @ 4.5V |
Vgs(值): | ±6V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 60.67pF @ 16V |
FET 功能: | - |
功率耗散(值): | 290mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-323 |
封装/外壳: | SC-70,SOT-323 |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。