技术参数
品牌: | ST |
型号: | STB16NF06LT4 |
封装: | 原厂封装 |
批次: | 19+ |
数量: | 900000 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | D2PAK-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 16 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 90 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 7.3 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 45 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | STripFET |
配置: | Single |
高度: | 4.6 mm |
长度: | 10.4 mm |
系列: | STB16NF06L |
晶体管类型: | 1 N-Channel Power MOSFET |
类型: | MOSFET |
宽度: | 9.35 mm |
商标: | STMicroelectronics |
正向跨导 - 最小值: | 17 S |
下降时间: | 12.5 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 37 ns |
工厂包装数量: | 1000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 20 ns |
典型接通延迟时间: | 10 ns |
单位重量: | 4 g |
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