产品简介
技术参数品牌:TI/德州仪器型号:CSD17575Q3批号:18+封装:DFN56数量:21000QQ:制造商:TexasInstruments产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装/箱体:VSON-CLIP-8通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:182ARdsOn-漏源导通电阻:2
详情介绍
技术参数
品牌: | TI/德州仪器 |
型号: | CSD17575Q3 |
批号: | 18+ |
封装: | DFN56 |
数量: | 21000 |
QQ: | |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VSON-CLIP-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 182 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.3 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.1 V |
Qg-栅极电荷: | 23 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 108 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1 mm |
长度: | 3.3 mm |
系列: | CSD17575Q3 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 3.3 mm |
正向跨导 - 最小值: | 118 S |
下降时间: | 3 ns |
上升时间: | 10 ns |
典型关闭延迟时间: | 20 ns |
典型接通延迟时间: | 4 ns |
单位重量: | 44.500 mg |
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