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当前位置:深圳市实磊业电子科技有限公司>> IRFH8337TR2PBFINFINEON/英飞凌 场效应管 IRFH8337TR2PBF DFN56 18+

INFINEON/英飞凌 场效应管 IRFH8337TR2PBF DFN56 18+

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:IRFH8337TR2PBF
  • 品牌:
  • 产品类别:其他
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  • 更新时间:2023-12-07 18:08:18
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深圳市实磊业电子科技有限公司

其他

  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:971条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2023-12-07
  • 最近登录:2023-12-07
  • 联系人:李小姐
产品简介

技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRFH8337TR2PBF批号:18+封装:DFN56数量:21000QQ:制造商:InfineonTechnologies系列:*FET类型:N通道技术:MOSFET(金属氧化物)25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta)

详情介绍


技术参数

品牌:INFINEON/英飞凌
型号:IRFH8337TR2PBF
批号:18+
封装:DFN56
数量:21000
QQ:
制造商:Infineon Technologies
系列:*
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta),35A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值):12.8 毫欧 @ 16.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值):2.35V @ 25µA
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PQFN(5x6)
封装/外壳:8-PowerTDFN
漏源电压(Vdss):30V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值):10nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值):790pF @ 10V
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