产品简介
技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRFH8337TR2PBF批号:18+封装:DFN56数量:21000QQ:制造商:InfineonTechnologies系列:*FET类型:N通道技术:MOSFET(金属氧化物)25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta)
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技术参数
品牌: | INFINEON/英飞凌 |
型号: | IRFH8337TR2PBF |
批号: | 18+ |
封装: | DFN56 |
数量: | 21000 |
QQ: | |
制造商: | Infineon Technologies |
系列: | * |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A(Ta),35A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 12.8 毫欧 @ 16.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 2.35V @ 25µA |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PQFN(5x6) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
漏源电压(Vdss): | 30V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 10nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 790pF @ 10V |
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