InGaAs盖革模式雪崩光电二管 （内置TEC制冷型）
总览
InGaAs 雪崩光电二管（APD）是短波近红外单 光子检测的用器件，可满足量子通信、弱光探测等 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
光谱响应
900-1700nm 响应度
@1550nm 0.85 A/W 技术参数
线性模式参数
| 产品型号 | IGA-APD-GM104-TEC | |||||
| 参数 | 符号 | 单位 | 测试条件 | 小 | 典型 | 大 |
| 反向击穿电压 | VBR | V | 22℃±3℃ ，ID =10μA | 60 | 80 | 90 |
| 响应度 | Re | A/W | 22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1 | 0.8 | 0.85 | |
| 暗电流 | ID | nA | 22℃±3℃，M =10 | 0.1 | 0.3 | |
| 电容 | C | pF | 22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz | 0.25 | ||
| 击穿电压温度系数 | η | V/K | -40℃ ~80℃，ID =10μA | 0.15 | ||
盖革模式参数
| 参数 | 单位 | 测试条件 | 小 | 典型 | 大 |
| 单光子探测效率 PDE | % | -45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布单光子源 | 20 | ||
| 暗计数率 DCR |
kHz | -45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% |
20* | ||
| 后脉冲概率 APP | -45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% | 1× 10-3 | |||
| 时间抖动Tj | ps | -45℃，1ns 门宽，2MHz门控重频，PDE=20% | 100 |
* 可提供不同等规格产品
室温IV曲线
DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)
温度系数
电容电压
更新时间：2023/5/24 17:35:26
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