筱晓光子 780-HP 掺锗(Ge)单模光纤 780-970nm 4.4/125um
780-HP高性能选择截止波长单模光纤是针对近红外光进行优化设计的特种单模光纤，用来满足光纤耦合器制作，半导体激光器尾纤以及近红外连续谱传输等特定的需要等。 该光纤在一致性，纤芯/包层同心度等指标上具有更加的性能和比业界标准更为严格的指标，还在二阶模式截止波长方面具有更为严格的误差范围，和目其它的相应的单模光纤相比，780-HP光纤的强度测试水平超过200kpsi,从而能够提高器件的可靠性，严格的技术指标性能保证能够帮助器件生产商提高产品的良率，节约成本。
主要特性:
非常出色的光纤截面以及几何尺寸控制-提升光纤在连接器制作和耦合方面的性能。
其严格的二阶模式截止波长公差控制-增强光纤器件的重复生产能力，一致性出色。
更高的强度测试水平-保证光纤在弯曲情况下应用中有更好的可靠性。
应用域:
激光二管尾纤
光纤耦合器
近红外光谱传输
| 参数 | 单位 | 指标 |
| 型号 | 780-HP | |
| 工作波长（一般情况下） | nm | 780-970 |
| MFD @ 850nm（1/e2 fit-近场） | um | 5.0±0.5 |
| 二阶模式截止波长 | nm | 730±30 |
| 衰减 @ 780nm (一般情况下) | dB/km | 4 |
| 衰减 @ 850nm | dB/km | < 3.5 |
| 数值孔径 （NA） | 0.13 | |
| 弯曲损耗 (780nm, 100圈,13mm半径) | dB | 0.001 |
| 弯曲半径（@780nm,每100turns损耗0.05dB）普通情况下 | Less than LTBR | |
| 包层直径 | um | 125±1.5 |
| 涂覆层直径 | um | 245±15 |
| 纤芯/包层同心度偏差 | um | ≤0.5 |
| 包层/涂覆层偏差 | um | ≤5 |
| 强度测试水平 | kpsi | ≥200 (1.4GN/m2) |
| 涂覆层材料 | UV Cured Dual Acrylate | |
| 工作温度 | ℃ | -55 ~ +85 |
| 短期弯曲半径 | mm | ≥6 |
| 长期弯曲半径 | mm | ≥13 |
光纤结构图：
780-HP高性能选择截止波长单模光纤是针对近红外光进行优化设计的特种单模光纤，用来满足光纤耦合器制作，半导体激光器尾纤以及近红外连续谱传输等特定的需要等。 该光纤在一致性，纤芯/包层同心度等指标上具有更加的性能和比业界标准更为严格的指标，还在二阶模式截止波长方面具有更为严格的误差范围，和目其它的相应的单模光纤相比，780-HP光纤的强度测试水平超过200kpsi,从而能够提高器件的可靠性，严格的技术指标性能保证能够帮助器件生产商提高产品的良率，节约成本。
主要特性:
非常出色的光纤截面以及几何尺寸控制-提升光纤在连接器制作和耦合方面的性能。
其严格的二阶模式截止波长公差控制-增强光纤器件的重复生产能力，一致性出色。
更高的强度测试水平-保证光纤在弯曲情况下应用中有更好的可靠性。
应用域:
激光二管尾纤
光纤耦合器
近红外光谱传输
| 参数 | 单位 | 指标 |
| 型号 | 780-HP | |
| 工作波长（一般情况下） | nm | 780-970 |
| MFD @ 850nm（1/e2 fit-近场） | um | 5.0±0.5 |
| 二阶模式截止波长 | nm | 730±30 |
| 衰减 @ 780nm (一般情况下) | dB/km | 4 |
| 衰减 @ 850nm | dB/km | < 3.5 |
| 数值孔径 （NA） | 0.13 | |
| 弯曲损耗 (780nm, 100圈,13mm半径) | dB | 0.001 |
| 弯曲半径（@780nm,每100turns损耗0.05dB）普通情况下 | Less than LTBR | |
| 包层直径 | um | 125±1.5 |
| 涂覆层直径 | um | 245±15 |
| 纤芯/包层同心度偏差 | um | ≤0.5 |
| 包层/涂覆层偏差 | um | ≤5 |
| 强度测试水平 | kpsi | ≥200 (1.4GN/m2) |
| 涂覆层材料 | UV Cured Dual Acrylate | |
| 工作温度 | ℃ | -55 ~ +85 |
| 短期弯曲半径 | mm | ≥6 |
| 长期弯曲半径 | mm | ≥13 |
光纤结构图：
更新时间：2023/5/24 17:35:26
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