在正性光刻过程中，掩膜版（Photomask）作为图形转移的关键工具，其性能直接影响到最终图形的精确度和质量。以下是正性光刻对掩膜版的主要要求：

图案准确性

在正性光刻中，掩膜版上的图案需要被准确地复制到光刻胶上。这意味着掩膜版上的每一个细节都必须清晰且无缺陷，因为任何细微的错误都会在后续的工艺步骤中被放大，影响最终产品的性能。

材料选择

掩膜版通常由高纯度的石英玻璃制成，因为石英玻璃具有优异的化学稳定性和光学透过率，能够承受光刻过程中的高温和高能辐射。此外，石英玻璃的热膨胀系数低，有助于保持掩膜版在不同温度下的尺寸稳定性。

精度和分辨率

掩膜版的精度和分辨率是决定光刻过程中能否实现亚微米甚至纳米级图形转移的关键因素。掩膜版的最小线宽、CD（Critical Dimension）精度、位置精度等参数都需要达到的标准，尤其是在制程中，这些参数的要求会更加严格。

表面质量

掩膜版的表面质量对其性能至关重要。掩膜版表面必须平整，无夹砂、气泡等微小缺陷，以确保光刻过程中光线的均匀透过和反射。任何表面缺陷都可能导致光刻胶上图形的畸变或模糊。

制造工艺

掩膜版的制造工艺复杂，涉及多个精密步骤，包括CAM图档处理、光阻涂布、激光光刻、显影、蚀刻、脱膜、清洗、宏观检查、自动光学检查、精度测量、缺陷处理、贴光学膜等。每个步骤都需要高度精确的控制，以确保最终掩膜版的质量。

综上所述，正性光刻对掩膜版的要求涵盖了图案准确性、材料选择、精度和分辨率、表面质量以及制造工艺等多个方面。只有满足这些严格要求的掩膜版，才能确保光刻过程的成功和最终产品的高质量。

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