随着电子芯片的不断发展，其测试的结果以及准确性也不断提高，所以，对于微流控芯片测温流程还是需要了解清楚才能更好的运行微流控芯片测温设备。

因为微流控芯片测温准确性要求的提高，以及减少测试时间降低测试成本的压力，传统的采用测试模式调节芯片参数的缺点变得明显，当芯片在各站点进行测试时，每个站点均需开启测试模式，进行参数校准，造成测试时间的浪费；其次，通过测试模式进行参数调节受芯片掉电的影响，需要严格控制芯片上电及掉电的顺序；各站点的测试温度不同，受测试温度的影响，达到同一参数目标值的调节代码存在不同的可能性，当采用其中一站的调节代码进行镭射对产品的失效率有一定的影响，这种影响受芯片制造工艺的制约，存在不可控性。

微流控芯片测温时，芯片起测时，芯片内部的各项参数均是默认值。受微电子制造工艺的影响，即使在相同的默认值下，芯片的各项参数也处在不同的水平线上。而微小的参数差异将导致芯片间性能的差异，必须对所有的参数按照设计规则进行优化校准，才能保证芯片的良好性能。因此，芯片起测后，先要对芯片各项参数的目标代码进行寻找。

芯片的各站点测试的温度不同，受温度的影响，各参数的目标代码存在不同的可能性。当采用电编程熔丝在测试站点固化参数值后，各站点均在该相同的固化代码下进行测量，即使存在参数值的偏差，也能确保测试的准确性，提升了产品性能。 芯片参数仅需要一次性固化，有效的避免了传统方法下多次写入造成的测试时间浪费的，并且在测试的过程当中固化芯片参数，可以省略后续镭射机台的使用，缩短了测试周期。

微流控芯片测温测试结果有利于各个芯片的结果准确性，调整芯片的各项参数，及时有效的降低企业运行成本。

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