光刻胶1959年被发明以来，就成为半导体工业最核心的工艺材料。随后光刻胶改进运用到印制电路板的制造工艺，成为 PCB 生产的重要材料。二十世纪九十年代，光刻胶又被运用到LCD器件的加工制作，对LCD面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。

       经调研认为，我国对光刻胶及专用化学品的研究起步较晚，国家非常重视，从“六五计划”至今都一直将光刻胶列为国家计划、国家重大科技项目。

       近几年由于微流控技术不断发展，光刻胶在微流控芯片加工技术中扮演着的角色。

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      SU-8光刻胶2000系列（如上图所示）是由苏州汶颢芯片科技有限公司与中科院化学研究所共同开发的款厚胶。可以替代MicroChem SU-8光刻胶系列。

      它在近紫外光(365nm- 400nm)范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形;它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性;SU -8在受到紫外辐射后发生交联，是一种化学扩大负性胶，可以形成台阶等结构复杂的图形;且SU-8胶不导电，在电镀时可以直接作为绝缘体使用。由于它具有较多优点，SU -8胶正被逐渐应用于MFMS、芯片封装和微加工等领域。直接采用SU -8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件是微加工领域的一项新技术。