芯片老化试验的核心价值

　　电子器件在使用中会出现性能衰减甚至失效，传统测试方法耗时长达数月。芯片老化试验仪通过以下技术实现“时间压缩”：

　　高温加速老化：在125℃~150℃环境下激活材料缺陷

　　动态电压应力：施加1.2~1.5倍额定电压加速电迁移

　　多通道并行测试：单台设备支持256+芯片同步试验

　　其核心价值在于：

　　提发现栅氧击穿、电迁移等潜在失效

　　验证芯片设计寿命(如车规芯片的15年寿命要求)

　　降低终端产品市场失效率(据SEMI统计可减少60%售后问题)

　　提供125-150℃环境

　　施加动态电压应力

　　实时监控参数漂移

　　温控系统

　　电源负载系统

　　数据采集系统

　　失效分析软件

　　关键技术指标：

　　温度均匀性：±1℃(符合JESD22-A108标准)

　　电压精度：±0.1% F.S.

　　采样频率：1MHz(捕捉纳异常信号)

　　通道扩展：支持256通道同步测试

　　行业应用场景

　　汽车电子域

　　AEC-Q100认证强制要求1000小时HTOL(高温工作寿命)测试

　　案例：某IGBT模块通过168小时老化试验发现早期栅退化

　　消费电子域

　　手机处理器需完成500小时动态老化测试

　　案例：TWS耳机芯片通过电压加速试验解决休眠电流异常

　　工业控制域

　　PLC主控芯片要求10年免维护寿命验证

　　案例：工业传感器芯片优化封装材料后失效率降至50FIT

　　设备选型指南

　　选购时需重点关注：

　　参数基础配置高阶需求

　　温度范围室温~150℃-65℃~+200℃(温循测试)

　　通道数64通道512通道+

　　电压精度±0.5%±0.1%

　　数据采集关键参数监控全参数实时记录

　　符合标准JESD22-A108MIL-STD-883

　　技术发展趋势

　　智能化诊断

　　AI算法自动识别失效模式(如深度学习分析电流纹波)

　　多物理场耦合

　　整合热-电-机械应力同步施加(模拟真实工况)

　　晶圆测试

　　直接对接探针台实现wafer level老化测试

　　云数据平台

　　测试数据云端分析生成可靠性预测报告

　　行业痛点解决方案

　　问题：某车载MCU厂商遭遇批量失效

　　分析：老化试验发现150℃下100小时后出现栅氧击穿

　　改进：

　　优化栅氧生长工艺厚度增加2nm

　　调整电压应力方案(1.3V→1.25V)

　　成果：

　　失效率从500DPPM降至50DPPM

　　通过AEC-Q100 Grade 1认证

　　在半导体技术迈向3nm以下节点的时代，芯片老化试验仪已从单纯的质量检测工具，升为产品可靠性设计的核心支撑。通过加速老化测试，企业不仅能规避市场风险，更能在激烈的竞争中建立技术壁垒。

　　选择业的老化试验方案，让每一颗芯片都经得起时间考验!