据调查显示，对于沉积速率，真空镀膜机技术中的磁控溅射镀膜运用效果很好。

　　有项研究就是对平衡磁控溅射镀膜和非平衡磁控溅射镀膜进行各种对比。

　　在这两者之前，对其成膜的沉积速率的不同作出了实验研究。

　　在实验中，通过在平衡磁控溅射的基础上增加附加的线圈来控制磁场的变化，形成非平衡磁控溅射条件，这种附加线圈可以改变磁场电流，调整在整个靶材表面所存 在的磁场状况，从而使其产生的离子密度更高。

　　在研究数据中显示，当离子密度提高，成膜的沉积速率也相应提高，通过这种调整电流的方式，可以提高磁控溅射镀膜时的沉积速率。

　　把靶材与基底之间的距离改变，当距离越大，沉积速率就越低，相反就越高，所以要设定好靶材与基底的距离。

　　距离大了，离子随着磁场所产生的电流沉积到基底上的时间就长了，在此时间内受到真空镀膜设备中的气体散射的影响就多了，离子密度相对降低，距离短就受影响少，离子密度就高，但不是越短越好的，太短距离就相对减少成膜的面积，所以这个距离需要拿捏好，可以提高磁控溅射镀膜时的沉积速率。

　　通过以上分析，磁控溅射镀膜机的技术还是十分有效的。

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