在LED芯片生产过程中，要经过划片工艺，经过划片后的LED芯片侧面比较光滑，因此要对LED芯片侧面进行腐蚀，使得侧面变得粗糙，从而增加侧面的发光面积，以达到增加光功率的目的。经过划片和侧面腐蚀工艺会使LED的正面受到划损或者腐蚀。因此，在划片之前会在LED芯片的正面会覆盖一层光刻胶，用以保护LED芯片，在经过侧面腐蚀工艺之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，需将光刻胶从LED芯片上去除。

去除LED芯片上的光刻胶是LED芯片制造工艺中的重要工序，在光刻胶去除的研究中，长期以来一般使用干法去胶或湿法去胶，但干法处理存在容易遗留残渣等诸多缺陷，因此目前行业内主要使用湿法去胶。湿法去胶一般用有机正胶去膜剂作为去胶剂，如601正胶去胶剂；该正胶去胶剂容易挥发，操作员的工作环境恶劣；去胶过程容易腐蚀铝电极，使铝电极颜色变黄；又由于使用有机正胶去膜剂去胶不容易控制去胶进度，导致只能单片作业以确保去胶正常进行。

芯片尺寸为1mm*1mm,客户想要观测LED通电后芯片表面的光刻胶是很困难的，在热像仪的观测下，led的光刻胶相对于其他地方的反射率迥然不同。

在可见光波段，它们看起来或透明或与基底颜色相似。然而，在红外热像波段，它们看起来颜色更深，特别是相对于其他地方的颜色。

使用红外热像仪观测出光刻胶，精准的找到光刻胶的位置，可以更快更精准的去掉胶体

红外热像仪的优势：

非接触的方式可以直接读出LED芯片的温度分布情况，避免了因为接触测温造成的温度变化；

热像仪可以观测很微小的物体；

更精确的测量

可以在长时间做在线监控；

可以查看温度变化过程，后期可以进行分析。