三星属于IDM企业；是集芯片的设计、生产制造一体化的公司。
三、芯片测试的常用条件从芯片的生产流程图可以看出，环境试验主要出现在IC的封测阶段，主要参考的标准有JEDEC、EIAJED等协会指定的行业标准。
① THB: 加速式温湿度及偏压测试
目的:
评估 IC 产品在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程
测试条件: 85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias
失效机制：电解腐蚀
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
JESD22-A101-D
EIAJED- 4701-D122
② HAST: 高加速温湿度及偏压测试
目的:
评估 IC 产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程
测试条件: 130℃， 85%RH, 1.1 VCC, Static bias，2.3 atm
失效机制：电离腐蚀，封装密封性
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
JESD22-A110
③ PCT: 高压蒸煮试验
目的:
评估 IC 产品在高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程
测试条件: 130℃， 85%RH, Static bias，15PSIG（2 atm）
失效机制：化学金属腐蚀，封装密封性
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
JESD22-A102
EIAJED- 4701-B123
*HAST 与 THB 的区别在于温度更高，并且考虑到压力因素，实验时间可以缩短，而PCT则不加偏压，但湿度增大。
④ TCT: 高低温循环试验
目的:
评估 IC 产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。
测试条件:
Condition B:-55℃ ℃ to 125
Condition C: -65℃ ℃ to 150
失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 1010.7
JESD22-A104-A
EIAJED- 4701-B-131
⑤ TST: 高低温冲击试验
目的:
评估 IC 产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。
测试条件:
Condition B: - 55℃ to 125℃
Condition C: - 65℃ ℃ to 150
失效机制：电介质的断裂，材料的老化（如 bond wires）, 导体机械变形
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：
MIT-STD-883E Method 1011.9
JESD22-B106
EIAJED- 4701-B-141
* TCT 与 TST 的区别在于 TCT 偏重于 package 的测试，而 TST 偏重于晶圆的测试
⑥ HTST: 高温储存试验
目的:
评估 IC 产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间。
测试条件: 150℃
失效机制：化学和扩散效应，Au-Al 共金效应
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 1008.2
JESD22-A103-A
EIAJED- 4701-B111
文章来源 | 拓米洛
