产品概述
DN3525N8-G 是一款N沟道耗尽型垂直DMOS FET, 采用*的垂直 DMOS 材质, 以及Supertex成熟的硅栅极制造工艺。这种组合技术器件具有双极晶体管的功率处理能力, 以及 MOS 器件的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS特性, 无热失控, 和温度热引起的二次击穿。低阈值常开DMOS FET非常适合需要高击穿电压, 高输入阻抗, 低输入电容, 快速开关速度的开关和放大应用。
低导通电阻
无二次故障
低输入和输出泄露
应用
电源管理, 通信与网络
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产品概述DN3525N8-G是一款N沟道耗尽型垂直DMOSFET,采用*的垂直DMOS材质,以及Supertex成熟的硅栅极制造工艺
产品概述
DN3525N8-G 是一款N沟道耗尽型垂直DMOS FET, 采用*的垂直 DMOS 材质, 以及Supertex成熟的硅栅极制造工艺。这种组合技术器件具有双极晶体管的功率处理能力, 以及 MOS 器件的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS特性, 无热失控, 和温度热引起的二次击穿。低阈值常开DMOS FET非常适合需要高击穿电压, 高输入阻抗, 低输入电容, 快速开关速度的开关和放大应用。
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