技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STW58N65DM2AG |
| 封装： | TO-247-3 |
| 数量： | 10002 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | 48 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 65 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 88 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 360 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 商标名： | MDmesh |
| 高度： | mm |
| 长度： | mm |
| 产品： | Power MOSFETs |
| 系列： | STW58N65DM2AG |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 类型： | High Voltage |
| 宽度： | mm |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 下降时间： | ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 31 ns |
| 工厂包装数量： | 600 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 157 ns |
| 典型接通延迟时间： | 28 ns |
| 单位重量： | 38 g |
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