产品简介
技术参数品牌：ST/意法半导体型号：STY50N105DK5封装：Max247-3数量：10017制造商：STMicroelectronics产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：ThroughHole封装/箱体：Max247-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STY50N105DK5 |
| 封装： | Max247-3 |
| 数量： | 10017 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | Max247-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | kV |
| Id-连续漏极电流： | 44 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 100 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 175 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 625 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | MDmesh |
| 系列： | STY50N105DK5 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 产品类型： | MOSFET |
| 工厂包装数量： | 600 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 单位重量： | 5 g |
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