电光调制器，自由空间型
特性
高性能，紧凑封装
宽带DC耦合或高Q共振
2 mm直径通光孔径
掺氧化镁的铌酸锂晶体
SMA RF调制输入接头
DC到100 MHz
提供定制OEM版本
DC耦合宽带调制器
我们的宽带电光调制器由一个封装在外壳内的电光晶体构成，并经过优化达到的射频性能。射频驱动信号通过SMA RF接头直接连接电光晶体。由外部射频驱动器提供调制要求的驱动电压。电光晶体的调制范围可以从直流到外部射频驱动器的频率极限。关于放大器要求的相关信息，请看规格标签。这些宽带振幅和相位调制器可选-C4*(400 - 600 nm)、-C1(600 - 900 nm)、-C2(900 - 1250 nm)或-C3(1250 - 1650 nm)增透膜。
高Q共振调制器
共振电光调制器以固定频率工作，Thorlabs的设计中包含高Q共振电路。相比宽带电光调制器，共振电光调制器显著降低了工作电压。我们共振调制器可选振幅和相位调制版本，以20 MHz工作，镀有-C1增透膜(600 – 900 nm)。关于镀膜反射率的详细信息，请看曲线标签。我们提供标准和定制镀膜选项，用户还可选从0.1到100 MHz的共振频率。
电光调制器，自由空间型
电光振幅调制器
电光振幅调制器(EO-AM)是一种普克尔盒型调制器，由封装在紧凑外壳中的两个匹配铌酸锂晶体(请看右图)组成，外壳带射频输入接头。对晶体施加电场将改变折射率(寻常光和非寻常光)，产生电场相关的双折射效应，以此改变光束的偏振态。电光晶体相当于一个可变波片，其延迟量与施加电场成线性关系。在输出端放置一个线偏振片，通过偏振片的光束强度将随施加电压的线性变化而发生正弦变化。
请注意，工作在-C4波段(400 - 600 nm)的AM调制器仅用于几赫兹以上的AC调制。掺氧化镁的铌酸锂对这个波长范围的光敏感，对施加的DC电场显示出缓慢的负压。光越强，DC场消除得越快。因此，实际上，DC电压不能用于在要求的工作点给调制器施加偏压。但是，可以使用可调波片在需要的工作点给调制器施加光学偏置(关于调制器偏置的详细信息，请看实验观测标签)。
电光相位调制器
我们的电光相位调制器能够对线偏振入射光提供可调相位差。入射光沿竖直方向线偏振，即晶体的Z轴方向。通过RF输入端在Z轴电极上施加电压，使晶体的非寻常光折射率发生变化，以此使光信号产生相位差。
控制信号可以是DC或随时间变化的RF信号。当控制电压信号随时间变化，光束将受到频率调制，部分基频能量将转到边带中，边带与基频间隔是调制频率的整数倍。转到边带的能量大小由调制深度决定。右图展示了边带的相对强度和调制深度的关系。
共振电光调制器
我们共振电光调制器具有高Q值，可用标准的实验室函数发生器驱动。调制器中的高Q值共振储能电路可以将标准函数发生器的低水平RF输入电压转成取得全调制深度要求的高电压。这样使得半波驱动电压在633 nm处只有15 V。
共振调制器可选相位和振幅调制版本，工作频率20 MHz，带宽1 MHz。它们具有用于600到900 nm的C1膜。我们也可以提供定制服务，用户可选从0.1到100 MHz的共振频率和各种增透膜。
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