单晶压电陶瓷芯片和堆栈
特性
25 °C时，整个行程中具有小于3％的迟滞
单晶芯片：
安装面尺寸：3.0 mm x 3.0 mm
驱动电压范围：0 - 1000 V
推荐负载为24 N(5 lbs)
裸电极或带铜箔引脚
分立式晶体堆栈：
安装面尺寸：5.0 mm x 5.0 mm
驱动电压范围：0 - 500 V
推荐负载为64 N(14 lbs)
带引线
用于开环装置
半球端帽和平面端板也可单独购买
Thorlabs的单晶压电陶瓷芯片和晶体压电陶瓷堆栈由铅基晶体制成，此晶体显示出高度线性运动，并具有低迟滞和蠕变，因此这些装置非常适用于开环应用或没有定位控制的操作。每个晶体的顶部和底部印有电极。单晶芯片可选裸电极或预安装铜箔引脚的版本。分立式堆栈由多个单晶芯片和铜板通过环氧树脂粘合在一起组成，且堆栈的电极连接有引线。PQ91JKP3芯片和PQ9FC1堆栈带有预安装的平面陶瓷端板。
当预载位移负载时，这些促动器可实现位移，下方指了每个产品的位移负载。每个产品型号的位移实际值各不相同，必须通过实验确定；但是，位移始终大于自由行程位移。更多信息请查看工作标签。
我们的单晶芯片的驱动电压范围为0 - 1000 V，而压电晶体堆栈的驱动电压范围为0-500 V。每个芯片上的黑点表示正极。每个单晶堆栈都具有一根连接在其正极的红色引线。
为了适应各种负载条件，可以购买额外的平面陶瓷端板或半球陶瓷端帽作为这些芯片的配件。此外，Thorlabs提供锥形尾帽，可兼容直径为3.0 mm和5.0 mm的球形接触件。请查看工作标签，以获取关于给压电陶瓷促动器连接负载、特殊的操作注意事项以及在已知其工作条件时估算这些促动器寿命的数据等信息。
我们还提供定制尺寸的单晶压电芯片。也可以定制兼容真空的芯片和堆栈。
单晶压电陶瓷芯片和堆栈
单晶压电陶瓷芯片
晶体压电陶瓷堆栈
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