制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压 （Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id） （25°C 时） 9A（Ta）
驱动电压 （ Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On （值） 19 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th） （值） 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） （值） 18nC @ 4.5V
Vgs （值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） （值） 1370pF @ 6V
功率耗散 （值） 2.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装 8-SOIC

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