产品简介
技术参数品牌:ON型号:NTS4173PT1G批号:10+封装:SOT323数量:490QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SC-70-3通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:1
详情介绍
技术参数
品牌: | ON |
型号: | NTS4173PT1G |
批号: | 10+ |
封装: | SOT323 |
数量: | 490 |
QQ: | |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SC-70-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
Id-连续漏极电流: | 1.3 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 150 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 700 mV |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 350 mW |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
封装: | Reel |
高度: | 0.85 mm |
长度: | 2.1 mm |
产品: | MOSFET Small Signal |
系列: | NTS4173P |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
类型: | Power MOSFET |
宽度: | 1.24 mm |
商标: | ON Semiconductor |
正向跨导 - 最小值: | 3.6 S |
下降时间: | 6.7 ns, 7.1 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 5.2 ns, 6.7 ns |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
典型关闭延迟时间: | 16.2 ns, 19.9 ns |
典型接通延迟时间: | 5.3 ns, 7.7 ns |
单位重量: | 6.200 mg |
- 上一篇: ON 场效应管 NTK3139PT1G MOSFET 20V/6
- 下一篇: ON NLVHCT244ADTR2G 缓冲器和线路驱动
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。