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场效应管 FDN335N

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:FDN335N
  • 品牌:
  • 产品类别:MOS管
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-07-15 14:26:39
  • 浏览次数:6
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  • 经营模式:其他
  • 商铺产品:1084条
  • 所在地区:
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  • 最近登录:2023-07-14
  • 联系人:李小姐\/汪小姐
产品简介

技术参数品牌:ON/FAIRCHILD型号:FDN335N批号:20+封装:SOT23-3数量:20000QQ:制造商:ONSemiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SSOT-3通道数量:1Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:1

详情介绍


技术参数

品牌:ON/FAIRCHILD
型号:FDN335N
批号:20+
封装:SOT23-3
数量:20000
QQ:
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SSOT-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:1.7 A
Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:8 V
最小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:PowerTrench
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.12 mm
长度:2.9 mm
产品:MOSFET Small Signal
系列:FDN335N
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:1.4 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:7 S
下降时间:8.5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8.5 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:11 ns
典型接通延迟时间:5 ns
零件号别名:FDN335N_NL
单位重量:30 mg
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